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半導体デバイスの静電破壊試験(ESD) |
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静電破壊試験 |
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半導体デバイスを電子機器に実装するまでの取り扱い中に於いて、半導体デバイスが受ける静電気放電に対する耐性を評価する為の試験です。
半導体デバイスが静電気を受けると、内部配線の溶断や酸化膜の破壊、内部リードの溶断等の破壊現象が生じ、オープン／ショート特性や動作不良となる。 |
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1.試験項目 |
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| （１） |
人体帯電モデル静電破壊試験 |
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（HBM/ESD） |
【試験条件】：100ｐＦ， 1.5ｋΩ
【試験回路】：図-1
【規格準拠】：EIAJ ED-4701/304
| （２） |
マシンモデル静電破壊試験 |
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（MM/ESD） |
【試験条件】：200ｐＦ，0Ω
【試験回路】：図-1
【規格準拠】：EIAJ ED-4701/304 |
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| （３） |
デバイス帯電モデル静電破壊試験 |
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（CDM/ESD） |
【試験条件】：電圧放電
【試験回路】：図-2
【規格準拠】：EIAJ ED-4701/305 |
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