RENESAS
 

信頼性試験
高温保存試験/低温保存試験
耐湿性試験(高温高湿試験)
温度サイクル試験/熱衝撃試験
プレッシャークッカーテスト
温湿度サイクル試験
塩水噴霧試験
振動試験/衝撃試験
静電気破壊試験(ESD試験)
ラッチアップ試験
通電試験
その他試験
特性検査
選別検査・スクリーニング
電気的特性の測定(テスト)
光学的特性の測定
解析・分析
構造解析・故障解析
分析
故障・モード別評価
ウィスカ評価試験
はんだ接合部の実装評価試験
グリーン調達材料評価試験
宇宙用半導体デバイス評価試験
評価用装置・部材
評価用装置作成
評価用部材作成
はんだボール再搭載(リボール)
目的
半導体や電子部品が長時間、電気的及び熱的ストレスを受けた場合の耐性を評価します。
方法
代表的な通電試験についてご紹介します。

(1)高温連続通電試験
    【目的】  長時間、高温下での動作状態に対する耐性を評価します。
    【試験条件例】  電圧/電流=規定の動作条件,Ta=125℃(Tj=175℃)
    【参考規格例】  JEITA
    【対応範囲】  個別半導体,モジュール,レギュレータIC,その他IC
*試験サンプルの大きさ、形状によって制限を受けます。

(2)断続通電試験
    【目的】  長時間、電気的なON/OFFを繰返すことによる電気的及び熱的ストレスの変化に対する耐性を
                    評価します。
    【試験条件例】  電圧/電流=規定の動作条件,儺c=75℃(30〜105℃)
    【参考規格例】  JEITA
    【対応範囲】  個別半導体,モジュール,レギュレータIC,その他IC
*試験サンプルの大きさ、形状によって制限を受けます。

(3)パワーサイクル試験
    【目的】  長時間、安定したケース温度下でSW動作を繰返すことによる電気的及び熱的ストレスの変化に
                    対する耐性を評価します。
    【試験条件例】  電圧/電流=規定の動作条件,Tc=50℃ 儺j=100℃(50〜150℃)
    【参考規格例】  参考規格なし
    【対応範囲】  MOS-FET,IGBT,IPM,その他IC
*試験サンプルの大きさ、形状によって制限を受けます。

断続通電試験装置 
  パワーサイクル試験装置 
費用・期間
【TO-220パッケージのMOS-FETについて断続通電試験を実施する場合】
    試験条件:VG=15V,ID=5A,儺c=75℃,3000サイクル(500hr相当),評価数量10個
    概算費用:80万円〜
    試験工期:22日
            *注意:パッケージが特殊な場合や、発熱が大きい場合など専用ジグの作成が必要になります。

    なお、上記費用・工期は参考となりますので、個々のご依頼内容によって変わります。
    詳細は営業担当者までお問い合わせください。

        ・パッケージ外形寸法
        ・試験条件(電圧,電流,ケース温度等)
        ・試験数量
        ・試験時間
    これらの情報を事前にいただけますと、より詳細なお見積が可能となります。

試験をご依頼いただける場合は  試験依頼書  に必用事項をご記入いただき、ご捺印の上、営業担当者まで
お申し付けください。