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半導体デバイスの構造解析・故障解析
半導体デバイスの構造解析・故障解析
半導体デバイスの構造解析・故障解析とは
判定したり、市場で発生した故障品について原因を調査するものである。
フォトエミッション顕微鏡装置
超音波探傷装置（ＳＡＴ）
試験項目紹介
■外観検査
外観状態（ﾘｰﾄﾞ、ﾒｯｷ、ﾏｰｷﾝｸﾞ、ﾊﾟｯｹｰｼﾞ）
寸法精度（ﾘｰﾄﾞﾋﾟｯﾁ、ｽﾀﾝﾄﾞｵﾌ寸法、外観）
■開封前検査
ボンディング状態(ﾜｲﾔﾙｰﾌﾟ、ﾀﾞｲﾎﾞﾝﾄﾞ材のぬれ性)
モールド樹脂状態(ｸﾗｯｸ、樹脂とﾘｰﾄﾞﾌﾚｰﾑ間の密着性)
■チップ表面
モールド樹脂の開封後に
・パッシベーション膜の状態 (クラック、ボイド)
・チップ表面の異物、変色、配線の欠陥
・破壊箇所
・ワイヤボンドの合金層の状態
配線、層間膜のエッチング後に
・配線の欠陥、層間膜の状態 (クラック、ボイド)
試験装置
・実体顕微鏡
実体顕微鏡（装置仕様）
倍率
×3.5〜80倍
・金属顕微鏡
金属顕微鏡（装置仕様）
倍率
×25〜1000倍
・非接触深度測定機(ハイソメット)
非接触深度測定機（装置仕様）
Z方向（高・低）
測定範囲
10mm
最小表示
0.001mm
精度
0.002mm
拡大倍率
×50、200、400、1000倍
・透過Ｘ線検査装置
X線TV検査装置（装置仕様）
出力最大管電圧
70kV
管電流
0.1mA
拡大率
×10〜200倍
・超音波探傷装置（SAT）
超音波探傷装置（SAT）（装置仕様）
走査範囲
300×280mm
最大倍率
×500
分解能力
12μm
探触子
15〜200MHz
・薬品によるモールドの除去 (発煙硝酸、硫酸、リン酸、他）
・走査形電子顕微鏡（SEM）
走査形電子顕微鏡（SEM）（装置仕様）
加速電圧
1〜30kV
分解能力
20nm（20A）
倍率
×20〜300000
像の種類
・２次電子
・反射電子
・Ｘ線
・電子線マイクロアナライザ（EPMA）
電子線マイクロアナライザ（EPMA）（装置仕様）
加速電圧
5〜30kV
分析対象物
3μm以上
分析倍率
Max3000倍
分析元素
5B〜92u
電子線分解能
100A
・エミッション顕微鏡
エミッション顕微鏡（装置仕様）
対物レンズ
×5,20,100
マクロレンズ
0.8（NA=0.4）
最大視野
15×15.27mm
・液晶を用いた解析
・チップ裏面からの赤外線顕微鏡による 観察
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