トップページ
サイトマップ
半導体デバイスの寿命試験
半導体デバイスの強度試験
半導体デバイスの選別検査・スクリーニング
半導体デバイスの構造解析・故障解析
電気的特性の測定（テスト）
光学的特性の測定
はんだ接合耐久性試験
その他の試験
環境試験（耐候性試験）装置
強度試験装置
テスタ・計測器
解析・分析装置
その他の装置
パワー系半導体デバイスの信頼性試験
鉛フリーはんだの接合耐久性試験
電気・電子機器用部品のウィスカ試験
半導体デバイスの静電破壊試験(ESD)
半導体デバイスのラッチアップ試験
LEDの信頼性試験
はんだボールの再搭載（リボール）
グリーン調達関連材料分析
サービス案内
>
信頼性試験と各種解析
> 半導体デバイスの強度試験
半導体デバイスの強度試験
半導体デバイスの強度試験
試験項目紹介
端子強度試験
はんだ耐熱性試験
はんだ付け性試験
人体モデル静電破壊試験（HBM/ESD）
デバイス帯電モデル静電破壊試験（CDM/ESD）
ラッチアップ試験
振動試験
衝撃試験
試験装置
・はんだ耐熱性試験
赤外線リフロー炉
温度範囲
25℃〜300℃(温度､時間の制御可能)
ウェイブ・ソルダー槽
はんだ温度
100℃〜350℃
超音波探傷
装置(SAT)
走査範囲
300〜280mm
最大倍率
×500
分解能力
12μm
探蝕子
15〜200MHz
・人体モデル静電破壊試験機
（HBM/ESD）
*
MM法も対応可能
電圧範囲
10〜±8000V
ステップ電圧
10V
テストピン数
512ﾋﾟﾝ
・デバイス帯電モデル静電破壊試験機 （CDM/ESD）
電圧範囲
10〜±4000V
ステップ電圧
10V
テストピン数
1024ﾋﾟﾝ
・ラッチアップ試験機
*
コンデンサ電圧印加法も対応可能
電源過電圧方法
0〜20V
テストピン数
256ﾋﾟﾝ
・端子強度試験機
端子強度試験機・曲げ（装置仕様）
曲げ荷重
0.5〜20N（0.05〜2kgf）
・振動試験装置
振動試験装置（装置仕様）
加振力
4KN（400kgf）
周波数範囲
5〜3500Hz
最大加速度
800m／S
2
（80G）
正弦波／ランダム振動
・衝撃試験装置
衝撃試験装置（装置仕様）
加振力
30〜30000m／S
2
（3〜3000G）
半正弦波／鋸歯状波／台形波
トップページ
｜
サービス案内
｜
会社概要
｜
会社地図
｜
お問い合わせ
｜
試験所認定
｜
個人情報保護方針
｜
サイトマップ
