株式会社ルネサスクオリティエンジニアリング 電子部品・半導体受託業務のご案内
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サービス案内 > 評価・解析装置一覧 > 解析・分析装置 解析・分析装置
解析・分析装置
 解析・分析装置

●電子線マイクロアナライザ(EPMA)
加速電圧:0〜30kV
分析倍率:Max3000倍
分析元素:5B〜92u
電子線分解能:100A
分析対象物:3μm以上

●走査形電子顕微鏡(SEM)
加速電圧:1〜30kV
分解能力:2nm(20A)
倍率:×20〜300,000
●超音波探傷装置(SAT)
走査範囲:300×280mm
最大倍率:×500
分解能力:12μm
探触子:15〜200MHz
●エミッション顕微鏡
対物レンズ:×5,20,100
マクロレンズ:0.8(NA=0.4)
最大視野:15×15.27mm
●ドライエッチング装置(RIE)
エッチング方向:異方性
ガス導入系:O2,CHF3,CF4
発振器周波数:13.56MHz,Max200W
SiN膜、SiO2膜の除去

●金属顕微鏡・実体顕微鏡
倍率:×3.5〜1000倍
明視野、暗視野、簡易偏光

●切断・研磨機
断面研磨機:25cm回転台、速度可変
切断機:10cm回転刃、速度可変
●X線TV検査装置
出力最大管電圧:70KV
出力最大管電流:0.1mA
拡大率:×10〜200倍
●有害元素蛍光X線検査装置
測定原理:エネルギー分散蛍光X線分析法
X線照射径:1.2mmφ
X線管:max.50kV、max.1mA
■その他の装置(協力工場での実施)
FIB:イオンビームによる微細加工
FT-IR:有機化合物の構造解析
ICP-MS:無機元素分析
     
 
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